Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0040120D
od PLN 149,99*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y
od PLN 44,57*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M035120YP
od PLN 44,61*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M25120Q
od PLN 65,89*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 240A; 271,7W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 271,7W Polaryzacja: ...
Bridgelux
BXW60M1K2J
od PLN 50,93*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 200A; 400W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12K
od PLN 81,84*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; Idm: 200A; 500W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0025
od PLN 132,92*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; 428W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 428W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M20120Q
od PLN 71,51*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; Idm: 213A; 188W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 188W Pol...
Infineon
IMZA120R020M1HXKSA1
od PLN 68,785*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; Idm: 213A; 188W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 188W Polar...
Infineon
IMW120R020M1HXKSA1
od PLN 68,939*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B
od PLN 130,68*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B4
od PLN 154,59*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 412A; 267W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 267W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTHL020N120SC1
od PLN 172,67*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 74A; Idm: 220A; 428W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 428W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M18120Q
od PLN 78,50*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 7A; Idm: 25A; 85W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT2450KEC
od PLN 33,66*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.