Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; 208W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 32ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0080120D
od PLN 88,33*
za szt.
 
 szt.
Infineon AIMW120R045M1 tranzystor 1200 V (2 ofert)
Infineon
AIMW120R045M1XKSA1
od PLN 56,818*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; Idm: 130A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Polar...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
od PLN 46,217*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 117A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 69mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40120Q
od PLN 54,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120K
od PLN 146,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D
od PLN 145,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pola...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
od PLN 16,096*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Po...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
od PLN 16,962*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 40A; Idm: 80A; 262W (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,117Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polary...
ROHM Semiconductor
SCT2080KEGC11
od PLN 68,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 41A; Idm: 232A; 160W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTH4L040N120SC1
od PLN 51,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 42A; Idm: 240A; 174W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 174W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTHL040N120SC1
od PLN 50,746*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 327W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 327W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120B
od PLN 43,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 344W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 344W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120Q
od PLN 44,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 44A; Idm: 130A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35120Q
od PLN 61,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 45A; Idm: 150A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Pol...
Infineon
IMZ120R030M1HXKSA1
od PLN 55,838*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.