Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W P...
Infineon
SPP08N80C3
od PLN 7,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; 150W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW11NM80
od PLN 9,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3-FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W...
Infineon
SPA08N80C3
od PLN 5,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP15N80AEF-GE3
od PLN 5,286*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG15N80AE-GE3
od PLN 5,846*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG15N80AEF-GE3
od PLN 7,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP11N80E-GE3
od PLN 9,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG11N80E-GE3
od PLN 15,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 32A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHA11N80E-GE3
od PLN 9,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 45A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12M80B
od PLN 21,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 46A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 337W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT11F80B
od PLN 21,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 8A; Idm: 50,4A; 300W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FQA13N80-F109
od PLN 10,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 9,5A; 40W; SC67 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: SC67 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,46Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: unipola...
Toshiba
TK10A80W,S4X(S
od PLN 9,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 0,95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF2N80YDTU
od PLN 4,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 950mA; Idm: 6A; 35W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 0,95A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQPF2N80
od PLN 3,21*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   251   252   253   254   255   256   257   258   259   260   261   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.