Tranzystory z kanałem N THT kup korzystnie w Mercateo (strona 254/271)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Znak jakości

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 4A; Idm: 28A; 33W; TO220FP (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SIHA15N80AEF-GE3

brak danych

od PLN 6,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 4A; Idm: 29A; 33W; TO220FP (2 ofert)

Vishay

SIHA15N80AE-GE3

brak danych

od PLN 5,99*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 4A; Idm: 45A; 35W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SIHA17N80E-GE3

brak danych

od PLN 13,83*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5,1A; Idm: 32A; 178W (3 ofert)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryzacja: unip...

onsemi

FQP8N80C

brak danych

od PLN 6,84*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5,1A; Idm: 32A; 59W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 59W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FQPF8N80CYDTU

brak danych

od PLN 5,18*
za szt.

Infineon IPU80R600P7 tranzystor 700 V (1 Oferta)

Infineon

IPU80R600P7AKMA1

brak danych

od PLN 6,88*
za szt.

Infineon IPS80R600P7 tranzystor 800 V (1 Oferta)

Infineon

IPS80R600P7AKMA1

brak danych

od PLN 2,91*
za szt.

Infineon IPP80R600P7 tranzystor 800 V (2 ofert)

Infineon

IPP80R600P7XKSA1

brak danych

od PLN 3,116*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5,7A; 290W; TO220-3 (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Pol...

Taiwan Semiconductor

TSM10N80CZ C0G

brak danych

od PLN 15,04*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5,7A; 48W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,05Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Pola...

Taiwan Semiconductor

TSM10N80CI C0G

brak danych

od PLN 15,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5,7A; 83W; IPAK (1 Oferta)

Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...

Infineon

IPU80R1K0CEBKMA1

brak danych

od PLN 2,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2FLLG

brak danych

od PLN 181,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 52A; Idm: 208A; 893W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8014L2LLG

brak danych

od PLN 196,84*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5A; Idm: 22A; 31W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SIHA11N80AE-GE3

brak danych

od PLN 5,09*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polaryzacja: unipola...

Vishay

SIHP11N80AE-GE3

brak danych

od PLN 5,13*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 251 252 253 254 255 256 257 258 259 260 261 .. 271 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)