Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 25A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6025BVRG
od PLN 62,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6015LVFRG
od PLN 92,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6015LVRG
od PLN 86,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 49A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6011B2VRG
od PLN 104,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M80L2VRG
od PLN 175,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVRG
od PLN 441,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVFRG
od PLN 97,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065BVRG
od PLN 53,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065BVFRG
od PLN 56,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 16A; Idm: 64A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8056BVRG
od PLN 65,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVRG
od PLN 95,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVFRG
od PLN 98,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; TO247MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030B2VRG
od PLN 94,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar2™; unipolarny; 500V; 24A; 480W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXTQ460P2
od PLN 14,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar2™; unipolarny; 500V; 94A; 1300W; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 94A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3...
IXYS
IXFX94N50P2
od PLN 65,26*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.