Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F80L
od PLN 72,10*
za szt.
od PLN 72,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 26A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT38F80B2
od PLN 76,21*
za szt.
od PLN 76,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFX27N80Q
od PLN 73,92*
za szt.
od PLN 73,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; 481W; TO264 (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFK27N80Q
od PLN 45,272*
za szt.
od PLN 45,272*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41M80L
od PLN 56,57*
za szt.
od PLN 56,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 27A; Idm: 150A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT41M80B2
od PLN 69,72*
za szt.
od PLN 69,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 29A; Idm: 138A; 446W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 67mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FCH085N80-F155
od PLN 40,54*
za szt.
od PLN 40,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT44F80B2
od PLN 89,78*
za szt.
od PLN 89,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 29A; Idm: 173A; 1135W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT44F80L
od PLN 76,14*
za szt.
od PLN 76,14*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPU80R1K2P7AKMA1
od PLN 1,93*
za szt.
od PLN 1,93*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP80R1K2P7XKSA1
od PLN 3,145*
za szt.
od PLN 3,145*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,2A; 158W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 158W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP6N80C
od PLN 5,04*
za szt.
od PLN 5,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 30W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHA6N80AE-GE3
od PLN 3,69*
za szt.
od PLN 3,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
od PLN 2,253*
za szt.
od PLN 2,253*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 3,2A; Idm: 22A; 51W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 51W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF6N80CT
od PLN 4,92*
za szt.
od PLN 4,92*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.