Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 038 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
Fotografia
Znak jakości x
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,8A; Idm: 5A; 62,5W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHU2N80E-GE3
brak danych
od PLN 3,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,8A; Idm: 7,2A; 54W (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRFBE20PBF
brak danych
od PLN 2,82*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPU80R2K0P7AKMA1
brak danych
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,9A; 39W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF3N80C
brak danych
od PLN 3,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,9A; Idm: 12A; 107W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 107W Polaryzacja: unipo...
onsemi
FQP3N80C
brak danych
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 1,9A; Idm: 7A; 29W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 1,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHA5N80AE-GE3
brak danych
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10,3A; Idm: 37A; 179W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: uni...
Vishay
SIHP21N80AEF-GE3
brak danych
od PLN 4,242*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10,3A; Idm: 37A; 179W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: uni...
Vishay
SIHG21N80AEF-GE3
brak danych
od PLN 8,305*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP80R280P7XKSA1
brak danych
od PLN 4,241*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPW80R280P7XKSA1
brak danych
od PLN 4,856*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN80R280P7XKSA1
brak danych
od PLN 4,252*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10,71A; 190W; TO220-3 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,295Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Po...
ST Microelectronics
STP18NM80
brak danych
od PLN 14,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10,71A; 190W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10,71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polar...
ST Microelectronics
STW18NM80
brak danych
od PLN 9,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR20N80P
brak danych
od PLN 29,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 10A; 300W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 10A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Ładunek bramk...
IXYS
IXFP10N80P
brak danych
od PLN 13,11*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   241   242   243   244   245   246   247   248   249   250   251   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.