Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 038 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220 (3 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pol...
Infineon
SPP11N60C3XKSA1
od PLN 6,13*
za szt.
Infineon IPA60R120C7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPA60R120C7XKSA1
od PLN 16,28*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8,2A; Idm: 52A; 110W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryz...
ST Microelectronics
STW19NM60N
od PLN 6,95*
za szt.
Infineon IPP65R420CFD tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPP65R420CFDXKSA1
od PLN 3,85*
za szt.
Infineon IPW65R420CFD tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPW65R420CFDFKSA1
od PLN 8,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8,7A; 83,3W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83,3...
Infineon
IPI65R420CFDXKSA1
od PLN 3,99*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264P Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W ...
IXYS
IXFK80N65X2
od PLN 62,99*
za szt.
Infineon IPW65R037C6 tranzystor (2 ofert)
Infineon
IPW65R037C6FKSA1
od PLN 40,16*
za szt.
Infineon IPA65R190C7 tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPA65R190C7XKSA1
od PLN 5,41*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W ...
IXYS
IXTP8N65X2M
od PLN 6,33*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 156W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHP12N65E-GE3
od PLN 5,12*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 8A; Idm: 28A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHF12N65E-GE3
od PLN 5,58*
za szt.
Infineon IPA60R099C7 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPA60R099C7XKSA1
od PLN 11,97*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 9,4A; Idm: 45A; 34W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220 FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W...
Infineon
SPA15N60C3XKSA1
od PLN 6,676*
za szt.
Infineon IPS65R400CE tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPS65R400CEAKMA1
od PLN 1,75*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   231   232   233   234   235   236   237   238   239   240   241   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.