Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Powrót
Infineon
IPI65R190C6XKSA1
od PLN 6,95*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 34W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 34W Po...
Infineon
IPA65R190E6XKSA1
od PLN 7,68*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTP20N65X2
od PLN 10,18*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 290W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2...
IXYS
IXTH20N65X2
od PLN 14,29*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTA20N65X
od PLN 20,58*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTP20N65X
od PLN 20,17*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32...
IXYS
IXTH20N65X
od PLN 23,56*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3...
IXYS
IXTP20N65X2M
od PLN 10,34*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 0,35µs Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63...
IXYS
IXTP20N65XM
od PLN 20,45*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 87mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW40N65M2
od PLN 13,44*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 220W Polaryz...
ROHM Semiconductor
R6520KNX3C16
od PLN 7,663*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Polaryz...
ROHM Semiconductor
R6520ENXC7G
od PLN 8,47*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 90A; 250W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 93mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW35N65DM2
od PLN 15,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 21,9A; 313W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 21,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W...
Infineon
SPW35N60C3
od PLN 28,873*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W Polaryzacja: unip...
Vishay
SIHG33N65E-GE3
od PLN 20,97*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   221   222   223   224   225   226   227   228   229   230   231   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.