Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 044 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,7A; 40W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK14A65W,S5X(M
od PLN 7,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPP65R280E6XKSA1
od PLN 4,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPW65R280C6FKSA1
od PLN 6,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280C6XKSA1
od PLN 5,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 104W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104...
Infineon
IPI65R280E6XKSA1
od PLN 5,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; 32W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Po...
Infineon
IPA65R280E6XKSA1
od PLN 4,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13,8A; Idm: 41,4A; 35,7W (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: THT Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35,7W Polaryzacja: unipo...
PanJit Semiconductor
PJMF280N65E1_T0_00001
od PLN 4,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 53A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHA21N65EF-E3
od PLN 13,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 88A; 140W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 140W Polaryz...
ST Microelectronics
STW30N65M5
od PLN 14,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 14,9A; Idm: 72A; 298W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 14,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,133Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCH150N65F-F155
od PLN 13,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHP22N65E-GE3
od PLN 11,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 14A; Idm: 56A; 227W; TO247AC (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIHG22N65E-GE3
od PLN 12,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 14A; Idm: 56A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHF22N65E-GE3
od PLN 11,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 15,5A; Idm: 96A; 190W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 15,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polary...
ST Microelectronics
STW33N60DM2
od PLN 16,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA65R065C7XKSA1
od PLN 31,06*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   221   222   223   224   225   226   227   228   229   230   231   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.