Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 8,2A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,285Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polar...
ST Microelectronics
STF18NM60N
od PLN 5,05*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 600V; 8,2A; Idm: 52A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,285Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Pola...
ST Microelectronics
STP18NM60N
od PLN 3,722*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolarny; 650V; 11A; Idm: 68A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
ST Microelectronics
STP24NM60N
od PLN 5,884*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolarny; 200V; 5,7A (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polaryz...
ST Microelectronics
IRF630
od PLN 3,04*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolarny; 200V; 9,45A; 25W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polar...
ST Microelectronics
STF19NF20
od PLN 3,243*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; unipolarny; 200V; 9,45A; 90W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 9,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polar...
ST Microelectronics
STP19NF20
od PLN 3,85*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolarny; 60V; 120A; 338W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: THT Obudowa: TO220AB;SOT78 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,1mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 338W Polaryzacj...
Nexperia
PSMN2R0-60PSRQ
od PLN 9,99*
za szt.
Infineon IPI80N06S4-07 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IPI80N06S407AKSA2
od PLN 4,329*
za szt.
Infineon IPI120N04S4-02 tranzystor 40 V (1 Oferta)
Infineon
IPI120N04S402AKSA1
od PLN 3,77*
za szt.
Infineon IPP17N25S3-100 tranzystor 250 V (1 Oferta)
Infineon
IPP17N25S3100AKSA1
od PLN 7,26*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolarny; 40V; 120A; 300W (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
Infineon
IPP120N04S302AKSA1
od PLN 9,47*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ł...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVRG
od PLN 142,13*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
od PLN 111,06*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 16A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12080LVRG
od PLN 98,66*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVRG
od PLN 81,04*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.