Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 055 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 4A; 960W; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
IXYS
IXTX4N300P3HV
od PLN 254,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
IXYS
IXTX3N250L
od PLN 243,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 1,4A; Idm: 5A; 960W; 660ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 660ns Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana...
IXYS
IXTX1R4N450HV
od PLN 238,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602LG
od PLN 235,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 85A; Idm: 250A; 556W (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 85A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 556W Polaryz...
Wolfspeed
C3M0016120K
od PLN 235,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2kV; 6A; 960W; 520ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX6N200P3HV
od PLN 231,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602B2G
od PLN 228,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
od PLN 228,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W ...
IXYS
IXTB30N100L
od PLN 223,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 83A; Idm: 472A; 251W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 83A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 251W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NVHL020N090SC1
od PLN 221,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K4S
od PLN 208,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 1,6A; Idm: 6A; 160W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...
IXYS
IXTF2N300P3
od PLN 204,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75L2FLLG
od PLN 202,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 73A; Idm: 292A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M75L2LLG
od PLN 202,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502B2G
od PLN 197,34*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.