Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Porównanie cen ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFH50N60P3
od PLN 26,67*
za szt.
od PLN 26,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFQ50N60P3
od PLN 24,17*
za szt.
od PLN 24,17*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPP60R040C7 tranzystor 500 V (2 ofert)
Infineon
IPP60R040C7XKSA1
od PLN 27,28*
za szt.
od PLN 27,28*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW60R040C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPW60R040C7XKSA1
od PLN 32,12*
za szt.
od PLN 32,12*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPZ60R040C7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPZ60R040C7XKSA1
od PLN 25,017*
za szt.
od PLN 25,017*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO247-3; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W...
IXYS
IXFH50N60X
od PLN 30,34*
za szt.
od PLN 30,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO3P; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W Po...
IXYS
IXFQ50N60X
od PLN 27,60*
za szt.
od PLN 27,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 51A; Idm: 254A; 520W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG80N60EF-GE3
od PLN 50,55*
za szt.
od PLN 50,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 51A; Idm: 268A; 520W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 51A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG80N60E-GE3
od PLN 42,26*
za szt.
od PLN 42,26*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPW60R070P6 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPW60R070P6XKSA1
od PLN 17,739*
za szt.
od PLN 17,739*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 391W P...
Infineon
IPW60R070C6FKSA1
od PLN 34,35*
za szt.
od PLN 34,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 53A; 417W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT53N60BC6
od PLN 38,88*
za szt.
od PLN 38,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 53A; Idm: 117A; 446W (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: THT Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 74mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 446W Polaryzacja: unipolarn...
PanJit Semiconductor
PJMH074N60FRC_T0_00601
od PLN 13,96*
za szt.
od PLN 13,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010B2FLLG
od PLN 126,14*
za szt.
od PLN 126,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 54A; Idm: 216A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6010B2LLG
od PLN 108,03*
za szt.
od PLN 108,03*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.