Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 038 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38,8A; 270W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK39N60X,S1F(S
od PLN 17,75*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38,8A; 270W; TO3PN (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 270W Polaryzacja: unipo...
Toshiba
TK39J60W,S1VQ(O
od PLN 16,40*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; 280W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Czas gotowości: 650ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXKR40N60C
od PLN 72,22*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; 417W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR44N60
od PLN 84,77*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG70N60AEF-GE3
od PLN 37,77*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHG73N60AE-GE3
od PLN 34,35*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pola...
Microchip Technology
APT56M60L
od PLN 66,97*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pola...
Microchip Technology
APT56F60L
od PLN 71,74*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polar...
Microchip Technology
APT60N60BCSG
od PLN 85,41*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W P...
Infineon
IPW60R075CPFKSA1
od PLN 26,14*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Polaryz...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
od PLN 38,12*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW70N60DM6
od PLN 39,26*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3A; 70W; ITO220AB (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 196mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM60NC196CI C0G
od PLN 9,18*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 3A; 89W; ITO220AB (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: ITO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 89W Pola...
Taiwan Semiconductor
TSM60NC165CI C0G
od PLN 10,90*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,3A; 150W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFPC40PBF
od PLN 7,488*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   191   192   193   194   195   196   197   198   199   200   201   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.