Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,8A; 28,4W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28,4W Polary...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB1R4CH C5G
od PLN 2,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,8A; Idm: 11,2A; 49W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 49W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FQU5N60CTU
od PLN 1,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQP3N60C
od PLN 2,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,1A; Idm: 48A; 167W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W Polaryzacja: uni...
onsemi
FCP16N60
od PLN 9,33*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPA60R400CE tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPA60R400CEXKSA1
od PLN 3,729*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA60R380E6XKSA1
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 31W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA60R380C6XKSA1
od PLN 6,14*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPA60R380P6 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPA60R380P6XKSA1
od PLN 2,817*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 83W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W...
Infineon
IPP60R380C6XKSA1
od PLN 6,35*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPI60R380C6 tranzystor 600 V (1 Oferta)
Infineon
IPI60R380C6XKSA1
od PLN 3,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 48A; 277,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277,8W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHG17N60D-GE3
od PLN 9,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 48A; 277,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277,8W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHP17N60D-GE3
od PLN 8,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 52,5A; 130W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 162mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...
ST Microelectronics
STW24N60M6
od PLN 8,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,8A; 150,6W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150,6W ...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CZ C0G
od PLN 8,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,8W P...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CI C0G
od PLN 9,13*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   171   172   173   174   175   176   177   178   179   180   181   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.