Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14A; Idm: 69A; 227W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FCH165N60E
od PLN 9,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 14A; Idm: 80A; 415W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,29Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 415W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT23F60B
od PLN 24,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,4A; 240W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 240...
Infineon
SPP24N60C3
od PLN 14,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; 130W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: un...
Toshiba
TK16N60W,S1VF(S
od PLN 8,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; 40W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryzacja: uni...
Toshiba
TK16A60W,S4VX(M
od PLN 4,431*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15,8A; Idm: 63,2A; 130W (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: un...
Toshiba
TK16N60W5,S1VF(S
od PLN 7,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 166W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR30N60P
od PLN 32,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; 62,5W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Pol...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB150CF C0G
od PLN 10,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; Idm: 30A; 60W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryz...
ROHM Semiconductor
R6015ENXC7G
od PLN 6,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; Idm: 63A; 35W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 158mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SIHF23N60E-GE3
od PLN 8,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 15A; ISOPLUS220™; 390ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS220™ Czas gotowości: 390ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: un...
IXYS
IXKC15N60C5
od PLN 9,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 160mA; Idm: 0,5A; 1W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Microchip Technology
VN2460N3-G
od PLN 5,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 160mA; Idm: 0,5A; 1W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Microchip Technology
VN2460N3-G-P003
od PLN 3,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 160mA; Idm: 0,5A; 1W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzac...
Microchip Technology
VN2460N3-G-P014
od PLN 3,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,199Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W...
Infineon
IPP60R199CPXKSA1
od PLN 8,82*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   161   162   163   164   165   166   167   168   169   170   171   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.