Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 1,8A; Idm: 12A; 75W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQP3N60C
brak danych
od PLN 2,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,1A; Idm: 48A; 167W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167W Polaryzacja: uni...
onsemi
FCP16N60
brak danych
od PLN 9,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 31W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA60R380E6XKSA1
brak danych
od PLN 3,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 31W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 31W Po...
Infineon
IPA60R380C6XKSA1
brak danych
od PLN 6,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,6A; 83W; PG-TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W...
Infineon
IPP60R380C6XKSA1
brak danych
od PLN 6,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 48A; 277,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277,8W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHG17N60D-GE3
brak danych
od PLN 9,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 48A; 277,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,34Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 277,8W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHP17N60D-GE3
brak danych
od PLN 8,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,7A; Idm: 52,5A; 130W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 162mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...
ST Microelectronics
STW24N60M6
brak danych
od PLN 8,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,8A; 150,6W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150,6W ...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CZ C0G
brak danych
od PLN 8,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,8W P...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB190CI C0G
brak danych
od PLN 9,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 120ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200...
IXYS
IXFP10N60P
brak danych
od PLN 8,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; 200W; TO220AB; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,74Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200...
IXYS
IXTP10N60P
brak danych
od PLN 8,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; 280W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polaryzacja: unipol...
Vishay
IRFPC60PBF
brak danych
od PLN 11,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 115A; 39W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHF068N60EF-GE3
brak danych
od PLN 10,439*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 32A; 25W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,55Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...
ST Microelectronics
STF10NM60N
brak danych
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.