Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 043 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☑
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Oferty ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,4A; Idm: 10A; 104W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: IPAK;TO251 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja: un...
2
Vishay
SIHU5N50D-GE3
od PLN 1,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 3,4A; Idm: 10A; 28,8W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 3,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28,8W Polaryzacja: unip...
2
Vishay
SIHF5N50D-E3
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 370W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVRG
od PLN 54,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40...
1
IXYS
IXTH30N50L2
od PLN 43,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
1
IXYS
IXTQ30N50L2
od PLN 41,17*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
1
IXYS
IXTQ30N50L
od PLN 25,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W...
1
IXYS
IXTH30N50P
od PLN 20,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Po...
1
IXYS
IXTQ30N50P
od PLN 12,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W...
3
IXYS
IXFH30N50Q3
od PLN 33,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pol...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5016BFLLG
od PLN 66,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pol...
1
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5016BLLG
od PLN 45,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
1
Microchip Technology
LND150N3-G-P002
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
1
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
1
Microchip Technology
LND150N3-G-P013
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
1
Microchip Technology
LND150N3-G-P014
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.