Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 370W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5017BVRG
od PLN 53,77*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO247-3; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40...
IXYS
IXTH30N50L2
od PLN 42,71*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,215Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W ...
IXYS
IXTQ30N50L2
od PLN 40,79*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTQ30N50L
od PLN 25,12*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 460W; TO247-3; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W...
IXYS
IXTH30N50P
od PLN 20,73*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Po...
IXYS
IXTQ30N50P
od PLN 12,04*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 690W; TO247-3; 250ns (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W...
IXYS
IXFH30N50Q3
od PLN 33,79*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5016BFLLG
od PLN 65,54*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5016BLLG
od PLN 44,77*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
LND150N3-G-P002
od PLN 1,89*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
LND150N3-G-P003
od PLN 1,89*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
LND150N3-G-P013
od PLN 1,89*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 0,74W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
LND150N3-G-P014
od PLN 1,89*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 740mW (2 ofert) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1kΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryz...
Microchip Technology
LND150N3-G
od PLN 1,951*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 34A; 313W; ISOPLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 34A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W Polaryzacja: uni...
IXYS
IXFR44N50Q
od PLN 74,51*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.