Tranzystory z kanałem N THT kup korzystnie w Mercateo (strona 132/270)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Infineon IRFB4137 tranzystor 60 V (2 ofert)

Infineon

IRFB4137PBF

od PLN 7,69*
za szt.

Infineon IRFP4137 tranzystor 100 V (3 ofert)

Infineon

IRFP4137PBF

od PLN 14,557*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 38A; 400W; TO247-3; 420ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...

IXYS

IXTH38N30L2

od PLN 38,35*
za szt.

Infineon IPP410N30N tranzystor 300 V (2 ofert)

Infineon

IPP410N30NAKSA1

od PLN 16,32*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 329W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M75BFLLG

od PLN 48,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 44A; Idm: 176A; 329W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M75BLLG

od PLN 44,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 5,6A; 90W; TO220-3; ESD (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 5,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryz...

ST Microelectronics

STP12NK30Z

od PLN 2,90*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 5,7A; Idm: 36A; 98W; TO220AB (1 Oferta)

Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 5,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 98W Polaryzacja: unipo...

onsemi

FQP9N30

od PLN 3,97*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 50A; 540W; TO247-3; 430ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 430ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 72mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W...

IXYS

IXTH50N30L2

od PLN 37,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W...

IXYS

IXFH50N30Q3

od PLN 37,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 54A; Idm: 216A; 403W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 61mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M61BFLLG

od PLN 56,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 54A; Idm: 216A; 403W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M61BLLG

od PLN 55,24*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 60A; 250W; ISOPLUS247™ (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unip...

IXYS

IXFR102N30P

od PLN 47,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 60A; TO247 (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacy...

ST Microelectronics

STW75NF30AG

od PLN 14,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 69A; 500W; TO247-3; 100ns (2 ofert)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 100ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 69A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W...

IXYS

IXFH69N30P

od PLN 29,62*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 .. 270 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (4 044 artykułów)