Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,5A; 1W; DIP4 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
IRFD220PBF
brak danych
od PLN 1,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20B2FLLG
brak danych
od PLN 86,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20B2LLG
brak danych
od PLN 85,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20LFLLG
brak danych
od PLN 145,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20LLLG
brak danych
od PLN 85,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16B2LLG
brak danych
od PLN 105,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16B2FLLG
brak danych
od PLN 107,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16LLLG
brak danych
od PLN 105,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 694W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 694W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M16LFLLG
brak danych
od PLN 107,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 110A; 960W; TO264; 420ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W ...
IXYS
IXTK110N20L2
brak danych
od PLN 106,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; 125W; TO220AB (4 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRL640PBF
brak danych
od PLN 3,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; 125W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRF640PBF
brak danych
od PLN 2,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2374
brak danych
od PLN 14,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: NTE Electronics Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja...
NTE Electronics
NTE2388
brak danych
od PLN 16,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO262;I2PAK Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHF640L-GE3
brak danych
od PLN 3,87*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.