Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 044 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 37A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 337W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT9F100B
od PLN 23,30*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 41ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Po...
IXYS
IXTP6N100D2
od PLN 23,37*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 6A; Idm: 37A; 335W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT9M100B
od PLN 21,03*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 8A; Idm: 32A; 266W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 266W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1001R6BFLLG
od PLN 108,95*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 880mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14M100B
od PLN 30,79*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 0,2A; 83W; TO247-3; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 450Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83...
IXYS
IXTH02N250
od PLN 47,66*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; PLUS247™; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W...
IXYS
IXTX3N250L
od PLN 244,90*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 2,5kV; 3A; 417W; TO264; 370ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 370ns Napięcie dren-źródło: 2,5kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Po...
IXYS
IXTK3N250L
od PLN 260,98*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryza...
Diodes
BS107PSTZ
od PLN 1,32*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryza...
Diodes
BS107P
od PLN 1,55*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,18A; 0,7W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryza...
Diodes
ZVNL120A
od PLN 1,22*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,38A; 1W; DIP4 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
IRFD210PBF
od PLN 1,23*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,5A; 1W; DIP4 (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: DIP4 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
IRFD220PBF
od PLN 1,63*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20B2FLLG
od PLN 86,17*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 100A; Idm: 400A; 568W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT20M20B2LLG
od PLN 84,40*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.