Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 044 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 38A; Idm: 152A; 893W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,26Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 893W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10026L2LLG
od PLN 271,88*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 17ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Po...
IXYS
IXTP3N100D2
od PLN 7,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 820ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTP3N100P
od PLN 9,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3A; 125W; TO247-3; 820ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 820ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTH3N100P
od PLN 13,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,56kW Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFB44N100Q3
od PLN 135,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; 150W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkow...
IXYS
IXFP4N100P
od PLN 9,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; 290W; TO247-3; 1,1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1,1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTH4N100L
od PLN 42,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RKLLG
od PLN 32,34*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RBLLG
od PLN 36,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryza...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1003RBFLLG
od PLN 44,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 52A; 1250W; TO264; 260ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 260ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25k...
IXYS
IXFK52N100X
od PLN 98,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; 250W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: tuba Cena jednostkow...
IXYS
IXFP5N100P
od PLN 11,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8M100B
od PLN 18,55*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryza...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7F100B
od PLN 19,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 5A; Idm: 32A; 225W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FQH8N100C
od PLN 12,51*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.