Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™ (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFX24N100Q3
od PLN 77,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 24A; 1000W; TO264 (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Polaryzacja: unipolarny ...
IXYS
IXFK24N100Q3
od PLN 78,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 24A; 568W; PLUS247™; 850ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 850ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W...
IXYS
IXTX24N100
od PLN 83,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 390mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFX26N100P
od PLN 101,61*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035B2FLLG
od PLN 135,64*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035LLLG
od PLN 132,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 370mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10035LFLLG
od PLN 134,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 29A; 520W; ISOPLUS i5-pac™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i5-pac™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryzacja: ...
IXYS
IXFL38N100P
od PLN 100,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 125W; TO220AB (4 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
IRFBG30PBF
od PLN 3,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 125W; TO247AC (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
IRFPG30PBF
od PLN 5,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 800ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania:...
IXYS
IXTP2N100P
od PLN 7,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 3,9A; 190W; TO247AC (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 3,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
IRFPG50PBF
od PLN 7,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 30A; 1040W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F100B2
od PLN 100,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 800W ...
IXYS
IXTB30N100L
od PLN 224,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 32A; 1250W; TO264 (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,32Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25kW Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXFK32N100Q3
od PLN 91,58*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.