Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,75A; 40W; TO220AB; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W ...
IXYS
IXTP05N100
od PLN 5,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,7A; 25W; TO220FP; 710ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220FP Czas gotowości: 710ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W P...
IXYS
IXTP05N100M
od PLN 8,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,86A; 54W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRFBG20PBF
od PLN 2,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 42W; TO220AB; 750ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 750ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W P...
IXYS
IXTP08N100P
od PLN 5,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,8A; 60W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXTP08N100D2
od PLN 5,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,4A; Idm: 5,6A; 54W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
IRFBG20PBF-BE3
od PLN 3,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 11ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W P...
IXYS
IXTP1R6N100D2
od PLN 6,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,6A; Idm: 7,4A; 70W; TO220-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryza...
ST Microelectronics
STP2NK100Z
od PLN 2,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,8A; 132W; TO220 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 132W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT3N100
od PLN 2,63*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS247™ Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polaryzacja: unipo...
IXYS
IXFR15N100Q3
od PLN 57,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 70ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 695W P...
IXYS
IXTH10N100D2
od PLN 48,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F100B
od PLN 39,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us (4 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 1µs Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Po...
IXYS
IXTH12N100L
od PLN 61,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090BFLLG
od PLN 63,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090BLLG
od PLN 66,79*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.