Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 8A; 360mW; TO39 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO39 Napięcie dren-źródło: 100V Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,36W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
VN2210N2
od PLN 66,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 8A; 740mW; TO92 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,74W Polaryzacja: unipolarn...
Microchip Technology
VN2210N3-G
od PLN 5,16*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFU120NPBF
od PLN 1,85*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 9,5A; 50W; IPAK SL (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: IPAK SL Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polar...
Taiwan Semiconductor
TSM900N10CH X0G
od PLN 1,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 9,6A; Idm: 54,4A; 38W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 9,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FQPF19N10
od PLN 2,65*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRF520NPBF
od PLN 1,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 9,7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 9,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRLI530GPBF
od PLN 2,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 90A; 156W; 76ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024d Czas gotowości: 76ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
IXYS
IXTF200N10T
od PLN 28,26*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFB4410PBF
od PLN 3,89*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFB4410ZPBF
od PLN 3,19*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IRFSL4410ZPBF
od PLN 4,873*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Polar...
Diodes
DMTH10H005SCT
od PLN 5,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FQA140N10
od PLN 15,11*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 105V; 31A; 135W; TO220-3 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 105V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Polaryzacja: unipol...
onsemi
FDP3672
od PLN 3,74*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP041N12N3GXKSA1
od PLN 16,41*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.