Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 059 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; PLUS247™; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700...
IXYS
IXTX8N150L
od PLN 125,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 8A; 700W; TO264; 1,7us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 1,7µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 700W P...
IXYS
IXTK8N150L
od PLN 126,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 30ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W P...
IXYS
IXTH1N170DHV
od PLN 43,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 2A; 568W; TO247-3; 80ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 80ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 568W ...
IXYS
IXTH2N170D2
od PLN 51,98*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,7kV; 3A; Idm: 10A; 250W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzac...
ST Microelectronics
STW12N170K5
od PLN 27,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,16A; 70W; IPAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 70W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STU2NK100Z
od PLN 2,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1,6A; Idm: 12A; 25W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryzacja: unipola...
Bridgelux
BXP3N1KF
od PLN 1,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 1A; 50W; IPAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: IPAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryzacja: unipolarny Rod...
onsemi
FQU2N100TU
od PLN 2,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 2,2A; 125W; TO220-3 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 2,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STP5NK100Z
od PLN 4,52*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 4,3A; 160W; TO220-3 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polary...
ST Microelectronics
STP8NK100Z
od PLN 6,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 4,3A; 40W; TO220FP (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 4,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,85Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 40W Polaryz...
ST Microelectronics
STF8NK100Z
od PLN 7,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 5A; 225W; TO3PN (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO3PN Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 225W Polaryzacja: unipolarn...
onsemi
FQA8N100C
od PLN 13,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 8,2A; 350W; TO247 (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 350W Polaryza...
ST Microelectronics
STW13NK100Z
od PLN 21,04*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1000V; 8,3A; 230W; TO247 (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 8,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 230W Polaryza...
ST Microelectronics
STW11NK100Z
od PLN 7,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzac...
Diodes
ZVNL110A
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   271   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.