Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60M80L2VRG
od PLN 170,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVRG
od PLN 428,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6040BVFRG
od PLN 95,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065BVRG
od PLN 51,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8065BVFRG
od PLN 54,75*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 16A; Idm: 64A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8056BVRG
od PLN 63,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVRG
od PLN 92,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVFRG
od PLN 95,68*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; TO247MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030B2VRG
od PLN 91,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar2™; unipolarny; 500V; 24A; 480W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,27Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W P...
IXYS
IXTQ460P2
od PLN 14,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar2™; unipolarny; 500V; 94A; 1300W; 250ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 94A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,3...
IXYS
IXFX94N50P2
od PLN 65,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2,2kV; 0,38A; Idm: 1,2A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Czas gotowości: 1,1µs Napięcie dren-źródło: 2,2kV Prąd drenu: 0,38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 10...
IXYS
IXTH06N220P3HV
od PLN 43,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 2kV; 6A; 960W; 520ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-HV Czas gotowości: 520ns Napięcie dren-źródło: 2kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960...
IXYS
IXTX6N200P3HV
od PLN 231,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 300V; 210A; 1890W; 250ns (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 250ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 210A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: ...
IXYS
IXFB210N30P3
od PLN 85,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar3™; unipolarny; 3kV; 1,6A; Idm: 6A; 160W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024c Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 3kV Prąd drenu: 1,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozp...
IXYS
IXTF2N300P3
od PLN 204,24*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.