Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT

  Tranzystory z kanałem N THT (4 036 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 6,4A; Idm: 25,6A; 125W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polary...
ST Microelectronics
STP9NK65Z
od PLN 2,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 6,4A; Idm: 25,6A; 30W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryz...
ST Microelectronics
STP9NK65ZFP
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 60A; Idm: 187,5A; 595W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 595W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
NTH4L027N65S3F
od PLN 46,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 60A; Idm: 187,5A; 595W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 595W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
NTH027N65S3F-F155
od PLN 46,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 60A; Idm: 187,5A; 595W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 595W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NTHL027N65S3HF
od PLN 39,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 61A; Idm: 282A; 833W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT94N65B2C6
od PLN 63,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 62A; 780W; TO247-3; 445ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 445ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W...
IXYS
IXTH62N65X2
od PLN 27,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 64A; 890W; TO247-3; 450ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 450ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 51mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 890W...
IXYS
IXTH64N65X
od PLN 37,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 65,8A; Idm: 300A; 595W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 65,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 595W Polaryzacja: unip...
onsemi
FCH023N65S3L4
od PLN 58,167*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 6A; 62,5W; PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,66Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W ...
Infineon
IPW65R660CFDFKSA1
od PLN 4,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 45W Polaryzacja: unipol...
Toshiba
TK6A65D(STA4,Q,M)
od PLN 2,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 6A; Idm: 65A; 39W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 39W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIHA24N65EF-GE3
od PLN 16,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO262-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: PG-TO262-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W P...
Infineon
IPI65R600C6XKSA1
od PLN 3,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7,3A; Idm: 21,9A; 32W (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: THT Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 32W Polaryzacja: unipolarn...
PanJit Semiconductor
PJMF600N65E1_T0_00001
od PLN 2,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7,5A; Idm: 60A; 125W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Pol...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW012N65
od PLN 7,24*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   211   212   213   214   215   216   217   218   219   220   221   ..   270   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.