Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (15 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 35mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 429W ...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C120040K3S
od PLN 110,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080K3S
od PLN 25,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080T3S
od PLN 41,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 23A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065080K4S
od PLN 94,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 40A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 42mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065040K3S
od PLN 143,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030K3S
od PLN 114,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K3S
od PLN 194,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030T3S
od PLN 116,25*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 62A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 441W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UF3C065030K4S
od PLN 208,44*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 140A; Idm: 314A; 714W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247AD Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 714W Pola...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0016120D
od PLN 102,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29A; Idm: 82A; 231W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 231W Pola...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120K
od PLN 36,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 29A; Idm: 82A; 231W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 137mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 231W Pola...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0080120D
od PLN 35,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120K
od PLN 146,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 250A; 517W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 517W Polar...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0025120D
od PLN 146,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; Idm: 160A; 320,5W (1 Oferta) 
Producent: SMC DIODE SOLUTIONS Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 320,5W Pol...
SMC DIODE SOLUTIONS
S2M0040120K-1
od PLN 46,80*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   Wszystkie   
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.