Tranzystory z kanałem N THT MICROCHIP (MICROSEMI) kup korzystnie w Mercateo

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502B2G

od PLN 202,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL502LG

od PLN 232,90*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602LG

od PLN 241,10*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APL602B2G

od PLN 233,46*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ł...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R5BVRG

od PLN 146,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 10A; 370W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R5BVFRG

od PLN 114,49*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 16A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12080LVRG

od PLN 101,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12060LVRG

od PLN 83,38*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 20A; 625W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12060LVFRG

od PLN 138,60*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R6BVFRG

od PLN 77,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R6BVRG

od PLN 51,08*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M11LVRG

od PLN 162,48*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M09LVFRG

od PLN 97,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M25BVRG

od PLN 40,33*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 100V; 75A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10M19BVRG

od PLN 49,93*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RBVFRG

od PLN 63,04*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RBVRG

od PLN 57,26*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 860mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10086BVFRG

od PLN 83,76*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10086BVRG

od PLN 78,27*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050LVFRG

od PLN 103,77*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050LVRG

od PLN 113,57*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050B2VFRG

od PLN 133,31*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22LVFRG

od PLN 92,81*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22LVRG

od PLN 81,69*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVRG

od PLN 88,36*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVFRG

od PLN 137,16*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18B2VRG

od PLN 88,20*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18B2VFRG

od PLN 108,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45BVRG

od PLN 44,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45BVFRG

od PLN 50,09*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 67A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M38BVRG

od PLN 54,41*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 300V; 40A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 85mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M85BVRG

od PLN 45,85*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 300V; 48A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M70BVFRG

od PLN 63,69*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 300V; 48A; 370W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT30M70BVRG

od PLN 55,66*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 400V; 23A; Idm: 92A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT4020BVFRG

od PLN 66,63*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 400V; 28A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT4014BVFRG

od PLN 44,39*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 400V; 57A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 400V Prąd drenu: 57A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT40M70LVRG

od PLN 91,02*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 20A; Idm: 80A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5028BVRG

od PLN 72,32*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5024BVRG

od PLN 94,03*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 22A; Idm: 88A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5024BVFRG

od PLN 103,54*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 30A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5017BVFRG

od PLN 53,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 32A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5015BVRG

od PLN 52,80*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 32A; 370W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5015BVFRG

od PLN 54,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 47A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010B2VRG

od PLN 75,56*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 47A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010LVFRG

od PLN 80,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 47A; 520W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT5010LVRG

od PLN 75,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 58A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M80LVFRG

od PLN 123,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 500V; 77A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 77A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT50M60L2VRG

od PLN 155,19*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6030BVRG

od PLN 51,18*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 25A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6025BVRG

od PLN 62,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6015LVFRG

od PLN 92,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 38A; 520W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6015LVRG

od PLN 86,69*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 49A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6011B2VRG

od PLN 104,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; 65A; 833W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 65A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 833W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT60M80L2VRG

od PLN 175,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6040BVRG

od PLN 441,13*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 600V; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 600V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT6040BVFRG

od PLN 97,68*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,65Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8065BVRG

od PLN 53,32*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8065BVFRG

od PLN 56,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 16A; Idm: 64A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,56Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8056BVRG

od PLN 65,07*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030LVRG

od PLN 95,84*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030LVFRG

od PLN 98,40*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; TO247MAX (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Technologia: POWER MOS 5® Rodzaj kanału: wzbogacany

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT8030B2VRG

od PLN 94,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 127W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 127W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC180SMA120B

od PLN 33,00*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 90A; 200W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA120B4

od PLN 49,88*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 91A; 200W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA120B

od PLN 54,78*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC040SMA120B4

od PLN 94,05*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC040SMA120B

od PLN 91,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120B

od PLN 130,53*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC025SMA120B4

od PLN 155,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B4

od PLN 155,89*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC017SMA120B

od PLN 151,19*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC360SMA120B

od PLN 23,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA170B

od PLN 197,73*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA170B4

od PLN 135,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC750SMA170B

od PLN 17,48*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC750SMA170B4

od PLN 21,26*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 26A; Idm: 100A; 381W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 381W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC080SMA330B4

od PLN 471,29*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 3,3kV; 7A; Idm: 27A; 131W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 3,3kV Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,52Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 131W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC400SMA330B4

od PLN 103,12*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 108mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC090SMA070B

od PLN 24,45*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC060SMA070B

od PLN 36,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC060SMA070B4

od PLN 37,47*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA070B4

od PLN 68,12*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC035SMA070B

od PLN 57,01*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC015SMA070B

od PLN 116,66*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

MSC015SMA070B4

od PLN 139,08*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 12A; 400W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R2BLLG

od PLN 141,76*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 12A; Idm: 48A; 403W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1201R2BFLLG

od PLN 110,22*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT22F120L

od PLN 62,98*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT22F120B2

od PLN 143,37*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT24M120B2

od PLN 56,55*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 90A; 1,04kW (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT24M120L

od PLN 78,06*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 105A; 1135W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26F120L

od PLN 113,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT28M120L

od PLN 95,15*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 530mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W ...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT28M120B2

od PLN 96,91*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 72A; 565W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 670mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 565W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12067LFLLG

od PLN 138,94*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W P...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057B2FLLG

od PLN 159,52*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057B2LLG

od PLN 153,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 22A; Idm: 88A; 690W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 690W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT12057LFLLG

od PLN 170,35*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 27A; 1135W; T-Max (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,58Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1135W Pol...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT26F120B2

od PLN 113,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 3,5A; Idm: 14A; 135W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 135W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1204R7BFLLG

od PLN 43,69*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: 1 2 3 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (272 artykułów)