Tranzystory z kanałem N THT MICROCHIP (MICROSEMI) kup korzystnie w Mercateo (strona 2/18)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RBVFRG

od PLN 62,56*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 44A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT1001RBVRG

od PLN 56,82*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 860mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10086BVFRG

od PLN 82,87*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 13A; Idm: 52A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10086BVRG

od PLN 77,57*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polaryz...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050LVFRG

od PLN 102,70*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050LVRG

od PLN 112,95*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1kV; 21A; Idm: 84A (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT10050B2VFRG

od PLN 131,42*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22LVFRG

od PLN 91,62*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 520W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M22LVRG

od PLN 80,67*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVRG

od PLN 87,36*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18LVFRG

od PLN 135,96*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 100A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Po...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18B2VRG

od PLN 87,75*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 100A; 625W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M18B2VFRG

od PLN 107,44*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 56A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Pola...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45BVRG

od PLN 44,02*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 200V; 56A; 300W (1 Oferta)

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT20M45BVFRG

od PLN 49,79*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .. 18 Dalej

Tranzystory z kanałem N THT (269 artykułów)