Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (682 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; 27A; 520W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 520W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030LVFRG
od PLN 97,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 800V; TO247MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 800V Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Cena jednostkowa: Nie #Akcje #promocyjne: aac_202202 Tech...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8030B2VRG
od PLN 94,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 15A; Idm: 40A; 127W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,225Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 127W P...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC180SMA120B
od PLN 32,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 58A; 56W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,175Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 56W Polaryzacja: unip...
Vishay
MXP120A080FW-GE3
od PLN 26,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 90A; 200W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: MICROCHIP (MICROSEMI...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120B4
od PLN 31,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 91A; 200W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC080SMA120B
od PLN 54,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: MICROCHIP (MICROSEMI...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B4
od PLN 58,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 46A; Idm: 105A; 323W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 46A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 323W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120B
od PLN 90,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B
od PLN 130,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 73A; Idm: 275A; 500W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 73A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120B4
od PLN 154,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC017SMA120B4
od PLN 155,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 80A; Idm: 280A; 455W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 455W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC017SMA120B
od PLN 150,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 28A; 78W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC360SMA120B
od PLN 23,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B
od PLN 196,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B4
od PLN 135,85*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   46   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.