Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (681 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 6,9A; 42W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 6,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRFI530GPBF
od PLN 1,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 60A; 250W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unip...
Vishay
SUP85N10-10-E3
od PLN 7,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 7,2A; Idm: 29A; 37W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 7,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRLI520GPBF
od PLN 2,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 9,7A; Idm: 39A; 42W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 9,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,22Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 42W Polaryzacja: unipo...
Vishay
IRLI530GPBF
od PLN 2,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 74A; 125W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 74A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SUP80090E-GE3
od PLN 7,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 0,86A; 54W; TO220AB (3 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 0,86A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipola...
Vishay
IRFBG20PBF
od PLN 2,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 1,4A; Idm: 5,6A; 54W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
IRFBG20PBF-BE3
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F100B
od PLN 41,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090BFLLG
od PLN 66,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 48A; 298W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 298W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10090BLLG
od PLN 69,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M100B
od PLN 39,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; 500W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 980mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT14F100B
od PLN 40,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10078BFLLG
od PLN 90,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10078BLLG
od PLN 94,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1,04kW; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 440mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT29F100L
od PLN 57,55*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   46   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.