Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (26 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,2A; 0,35W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzac...
LUGUANG ELECTRONIC
2N7000
od PLN 0,625*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 10A; 27,5W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,63Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 27,5W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
10N65
od PLN 1,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 12A; 33,2W; TO220F (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO220F Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,54Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33,2W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
12N65
od PLN 1,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3,5A; Idm: 6A; 69W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M1K170B
od PLN 13,67*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 16A; Idm: 50A; 138W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 138W Polar...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120Q
od PLN 26,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 14A; Idm: 48A; 134W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,285Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 134W Pola...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M160120B
od PLN 26,37*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 28A; Idm: 80A; 208W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,129Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Pola...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M80120B
od PLN 31,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 31A; Idm: 70A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M80120Q
od PLN 32,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 36A; Idm: 97A; 208W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M60065Q
od PLN 32,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 85A; 200W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,122Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 200W Pola...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M70120Q
od PLN 39,26*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 327W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 327W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120B
od PLN 43,39*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 43A; Idm: 145A; 344W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 344W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M50120Q
od PLN 44,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065B
od PLN 50,21*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 348W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065Q
od PLN 50,24*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 39A; Idm: 117A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 69mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40120Q
od PLN 54,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 40A; Idm: 130A; 370W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35065Q
od PLN 55,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 64A Rezystancja w stanie przewodzenia: 55mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065B
od PLN 59,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065Q
od PLN 61,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 44A; Idm: 130A; 300W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 44A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M35120Q
od PLN 61,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 39mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 326W Polaryz...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M28065Q
od PLN 62,59*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie    strona: 1   2   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.