Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (635 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 76A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 113mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Pol...
Infineon
IMZ120R060M1HXKSA1
od PLN 31,366*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 76A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 113mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polar...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
od PLN 28,291*
za szt.
Infineon AIMW120R045M1 tranzystor 1200 V (2 ofert)
Infineon
AIMW120R045M1XKSA1
od PLN 56,728*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; Idm: 130A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Polar...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
od PLN 46,227*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pola...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
od PLN 16,086*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Po...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
od PLN 16,952*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 45A; Idm: 150A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Pol...
Infineon
IMZ120R030M1HXKSA1
od PLN 55,848*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 45A; Idm: 150A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 57mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Polar...
Infineon
IMW120R030M1HXKSA1
od PLN 53,303*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; Idm: 213A; 188W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 188W Pol...
Infineon
IMZA120R020M1HXKSA1
od PLN 72,809*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 71A; Idm: 213A; 188W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 71A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 188W Polar...
Infineon
IMW120R020M1HXKSA1
od PLN 68,949*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 89,3A; Idm: 267,9A (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 89,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 227W Pol...
Infineon
IMW120R014M1HXKSA1
od PLN 100,034*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37,5W ...
Infineon
IMZ120R220M1HXKSA1
od PLN 15,037*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 9,5A; Idm: 21A; 37,5W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 9,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 416mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 37,5W Po...
Infineon
IMW120R220M1HXKSA1
od PLN 17,337*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polary...
Infineon
IMW65R107M1HXKSA1
od PLN 21,609*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 139mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Pola...
Infineon
IMZA65R107M1HXKSA1
od PLN 23,032*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   43   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.