Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (906 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; Idm: 33A; 36W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FCPF11N60T
od PLN 8,23*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 12,3A; Idm: 69A; 55,5W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 224mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 55,5W Polaryzacja: u...
onsemi
NTH4L160N120SC1
od PLN 18,727*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 12A; Idm: 69A; 59W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 59W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTHL160N120SC1
od PLN 17,016*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 13A; Idm: 32A; 47W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 265mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 47W Pol...
Infineon
IMZ120R140M1HXKSA1
od PLN 20,17*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 13A; Idm: 32A; 47W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 13A Rezystancja w stanie przewodzenia: 265mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 47W Polar...
Infineon
IMW120R140M1HXKSA1
od PLN 18,445*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 50A; 58W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 58W Polar...
Infineon
IMW120R090M1HXKSA1
od PLN 23,28*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 50A; 58W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 58W Pol...
Infineon
IMZ120R090M1HXKSA1
od PLN 27,38*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 21A; Idm: 125A; 28W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 21A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28W Polaryzacja: unipol...
onsemi
NTH4L080N120SC1
od PLN 24,79*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 76A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 113mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Pol...
Infineon
IMZ120R060M1HXKSA1
od PLN 31,296*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 26A; Idm: 76A; 75W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 113mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 75W Polar...
Infineon
IMW120R060M1HXKSA1
od PLN 28,351*
za szt.
Infineon
AIMW120R045M1XKSA1
od PLN 56,958*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 36A; Idm: 130A; 114W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 59mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 114W Polar...
Infineon
IMW120R045M1XKSA1
od PLN 46,227*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Pola...
Infineon
IMW120R350M1HXKSA1
od PLN 16,096*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 4,7A; Idm: 13A; 30W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 4,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 662mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Po...
Infineon
IMZ120R350M1HXKSA1
od PLN 16,962*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 41A; Idm: 232A; 160W (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 41A Rezystancja w stanie przewodzenia: 56mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryzacja: unipo...
onsemi
NTH4L040N120SC1
od PLN 51,48*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   61   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.