Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (694 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolarny; 800V; 3,6A; Idm: 8A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 560ns Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 3,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100...
IXYS
IXTP4N80P
od PLN 5,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 1,4A; Idm: 3A; 86W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 86W...
IXYS
IXTP1R4N120P
od PLN 11,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 16A; 660W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W Polaryzacja: unipol...
IXYS
IXFH16N120P
od PLN 52,47*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 2,4A; Idm: 6A; 125W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220AB Czas gotowości: 920ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 12...
IXYS
IXTP2R4N120P
od PLN 14,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 2,4A; Idm: 6A; 125W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 920ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 12...
IXYS
IXTH2R4N120P
od PLN 20,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 20A; 780W; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 570mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7...
IXYS
IXFX20N120P
od PLN 73,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 1,2kV; 30A; 1250W; 300ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXFB30N120P
od PLN 141,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 110A; 480W; TO247-3 (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 15mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 480W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH110N10P
od PLN 17,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 140A; 600W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 140A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH140N10P
od PLN 22,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO247-3 (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W...
IXYS
IXFH170N10P
od PLN 34,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W P...
IXYS
IXTK170N10P
od PLN 30,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W P...
IXYS
IXFK170N10P
od PLN 34,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO3P (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO3P Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W Po...
IXYS
IXTQ170N10P
od PLN 27,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 300A; 1500W; 200ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS264™ Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 300A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1...
IXYS
IXFB300N10P
od PLN 96,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 150V; 120A; 600W; TO247-3 (3 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 600W Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFH120N15P
od PLN 22,90*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   47   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.