Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (962 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,41*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 240A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK240N15T2
od PLN 58,65*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W ...
IXYS
IXFK360N15T2
od PLN 87,21*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167...
IXYS
IXFX360N15T2
od PLN 88,23*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 300V; 160A; 1390W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1390W...
IXYS
IXFK160N30T
od PLN 52,07*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 15A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzy...
IXYS
FMD15-06KC5
od PLN 48,88*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FDM47-06KC5
od PLN 90,69*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD47-06KC5
od PLN 92,96*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 38A; 280W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD40-06KC
od PLN 88,87*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 200A; 1040W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 245ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 200A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04k...
IXYS
IXTK200N10L2
od PLN 107,07*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 75A; 400W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W...
IXYS
IXTH75N10L2
od PLN 42,46*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 200V; 110A; 960W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 420ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 110A Rezystancja w stanie przewodzenia: 24mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96...
IXYS
IXTX110N20L2
od PLN 115,11*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247MAX Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502B2G
od PLN 200,21*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 500V; 58A; Idm: 232A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 58A Rezystancja w stanie przewodzenia: 90mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
od PLN 232,42*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear™; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 196A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,125Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 730W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL602LG
od PLN 239,84*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   65   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.