Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (1 298 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; CoolMOS™ CFD7; unipolarny; 650V; 5A; Idm: 24A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO220 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 674mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 43W Polaryz...
Infineon
IPP60R360CFD7XKSA1
od PLN 3,67*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPA60R170CFD7XKSA1
od PLN 3,765*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN60R210PFD7SXKSA1
od PLN 3,41*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN60R125PFD7SXKSA1
od PLN 5,10*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN60R360PFD7SXKSA1
od PLN 1,531*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPAN60R280PFD7SXKSA1
od PLN 2,70*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPP60R022S7XKSA1
od PLN 27,911*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 100V; 420A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 420A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670...
IXYS
IXFK420N10T
od PLN 52,81*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 240A; 1250W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 140ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 240A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,25...
IXYS
IXFK240N15T2
od PLN 58,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1670W ...
IXYS
IXFK360N15T2
od PLN 87,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 150V; 360A; 1670W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Czas gotowości: 150ns Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 167...
IXYS
IXFX360N15T2
od PLN 88,82*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolarny; 300V; 160A; 1390W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Czas gotowości: 200ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 160A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1390W...
IXYS
IXFK160N30T
od PLN 52,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 15A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,165Ω Typ tranzy...
IXYS
FMD15-06KC5
od PLN 48,90*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FDM47-06KC5
od PLN 91,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolarny; 600V; 32A (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzyst...
IXYS
FMD47-06KC5
od PLN 92,83*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   87   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.