Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (38 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 14A; Idm: 44A; 125W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 14A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0160
od PLN 34,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO120E0120
od PLN 45,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 25A; Idm: 80A; 179W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 179W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120E0080
od PLN 62,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 130A; 357W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 357W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0040
od PLN 86,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 70A; Idm: 200A; 500W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 70A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 500W Polaryzacja: u...
Littelfuse
LSIC1MO120G0025
od PLN 132,22*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,4A; Idm: 11A; 60W (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 60W Polaryzacja: ...
Littelfuse
LSIC1MO170E0750
od PLN 18,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzac...
Diodes
ZVN2110A
od PLN 1,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,32A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryzac...
Diodes
ZVNL110A
od PLN 1,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 0,45A; 0,7W; TO92 (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 0,45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,7W Polaryz...
Diodes
ZVN4210A
od PLN 1,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 42A; Idm: 90A; 2,8W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 2,8W Polary...
Diodes
DMNH10H028SCT
od PLN 2,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 62A; Idm: 92A; 139W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 62A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 139W Polar...
Diodes
DMT10H010LCT
od PLN 3,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO251 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 67A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 61W Polaryzac...
Diodes
DMT10H009LH3
od PLN 2,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 100V; 99A; Idm: 400A; 187W (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Polar...
Diodes
DMTH10H005SCT
od PLN 5,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryza...
Diodes
BS107PSTZ
od PLN 1,31*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 200V; 0,12A; 0,5W; TO92 (1 Oferta) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: THT Obudowa: TO92 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 0,12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,5W Polaryza...
Diodes
BS107P
od PLN 1,55*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   Wszystkie    strona: 1   2   3   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.