Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N THT ---

  Tranzystory z kanałem N THT (15 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Powrót do przeglądu filtrów
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: BASiC SEMICONDUCTOR ...
BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HK
od PLN 57,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 27A; Idm: 80A; 241W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 241W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B1M080120HC
od PLN 53,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120Z
od PLN 28,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 33A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120H
od PLN 30,50*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; Idm: 190A; 375W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247PLUS-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 375W P...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M032120Y
od PLN 46,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 52W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJP25N15B
od PLN 1,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 10A; Idm: 40A; 178W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 10A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryz...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ10N60CZ
od PLN 1,20*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N60CI
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ7N60CI
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 23W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CI
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 54W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CZ
od PLN 0,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220AB Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 100W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ4N65CZ
od PLN 0,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 48W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ7N65CI
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ4N70CI
od PLN 0,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 49W Polaryzacja...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ7N80CI
od PLN 1,14*
za szt.
 
 szt.
Liczba artykułów na stronie: 10   Wszystkie   
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.