Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 842 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 43,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V; 47A (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 27mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Pol...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065030B3
od PLN 141,80*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 12,5A; 55,5W (2 ofert) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
IGT60R190D1SATMA1
od PLN 34,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
od PLN 77,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,195Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodz...
Taiwan Semiconductor
TSG65N195CE RVG
od PLN 25,77*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 11A; Idm: 19A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN56 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Taiwan Semiconductor
TSG65N190CR RVG
od PLN 24,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 18A; Idm: 35A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,11Ω Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Taiwan Semiconductor
TSG65N110CE RVG
od PLN 42,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 30A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: PDFN88 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 68mΩ Typ tranzystora: N-JFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Taiwan Semiconductor
TSG65N068CE RVG
od PLN 75,36*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; GaN; unipolarny; HEMT; 650V; 9A; Idm: 36A; 192W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: PowerFLAT 5x6 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 192W Pol...
ST Microelectronics
SGT120R65AL
od PLN 11,00*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie #Akcje #pr...
onsemi
MMBF5103
od PLN 0,367*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie #Akcje #pr...
onsemi
MMBFJ201
od PLN 0,409*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...
onsemi
MMBFJ111
od PLN 0,395*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 50Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...
onsemi
MMBFJ112
od PLN 0,362*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SOT23; 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 100Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśm...
onsemi
MMBFJ113
od PLN 0,358*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,35W; SuperSOT-3; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SuperSOT-3 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 8Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: t...
onsemi
MMBFJ108
od PLN 1,01*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 0,46W; SOT23; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 18Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,46W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma...
onsemi
MMBFJ110
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 1,4mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 1,4mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkow...
Toshiba
2SK208-O(TE85L,F)
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 14mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 14mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkow...
Toshiba
2SK209-BL(TE85L,F)
od PLN 0,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 15V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ta...
onsemi
2SK932-23-TB-E
od PLN 0,503*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 15V; 50mA; 0,2W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 15V Prąd drenu: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,2W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ta...
onsemi
2SK932-24-TB-E
od PLN 0,733*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 20mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 20mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkow...
onsemi
BSR57
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 225mW; SOT23; 50mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie #Akcje #p...
onsemi
MMBF4117
od PLN 0,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena ...
onsemi
MMBFU310LT1G
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 0,225W; SOT23; 10mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena ...
onsemi
MMBFJ310LT1G
od PLN 0,40*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 25V; 30mA; 0,225W; SOT23; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 10mA Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: ...
onsemi
MMBFJ309LT1G
od PLN 0,362*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 30V; 0,225W; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 30V Rezystancja w stanie przewodzenia: 30Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
MMBF4391LT1G
od PLN 0,358*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 30V; 25mA; 0,225W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 25mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,225W Pola...
onsemi
MMBF4392LT1G
od PLN 0,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 325mW; SOT23; 50mA (3 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 325mW Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkowa: Nie #Akcje #pr...
onsemi
MMBFJ202
od PLN 0,381*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,15W; SC59; Igt: 10mA (2 ofert) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,15W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostko...
Toshiba
2SK209-GR(TE85L,F)
od PLN 0,59*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 6,5mA; 0,1W; SC59; Igt: 10mA (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SC59 Prąd bramki: 10mA Prąd drenu: 6,5mA Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,1W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma;rolka Cena jednostkow...
Toshiba
2SK208-GR(TE85L,F)
od PLN 0,76*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; unipolarny; 80mA; 0,25W; SOT23; Igt: 50mA (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Prąd bramki: 50mA Prąd drenu: 80mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 60Ω Typ tranzystora: N-JFET Moc rozpraszana: 0,25W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
onsemi
BSR58
od PLN 0,344*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W P...
Vishay
SIRC16DP-T1-GE3
od PLN 3,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 142,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS66DN-T1-GE3
od PLN 3,28*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 145,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,01mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: ...
Vishay
SISS60DN-T1-GE3
od PLN 2,248*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 18A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 17,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 17,...
Vishay
SIS780DN-T1-GE3
od PLN 1,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,86mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 36W...
Vishay
SISS64DN-T1-GE3
od PLN 2,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1212-8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 29,6W ...
Vishay
SISC06DN-T1-GE3
od PLN 2,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 34,7W ...
Vishay
SIRC18DP-T1-GE3
od PLN 2,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 27,5W P...
Vishay
SIRC10DP-T1-GE3
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 32W Polar...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
od PLN 2,07*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 20V; 1,5A; Idm: 3A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,31Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U34TR
od PLN 0,65*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9...
ROHM Semiconductor
QS5U12TR
od PLN 0,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1,2...
ROHM Semiconductor
QS5U17TR
od PLN 0,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 2A; Idm: 8A; ESD (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 0,9W...
ROHM Semiconductor
QS5U13TR
od PLN 0,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET + Schottky; unipolarny; 30V; 500mA; Idm: 2A (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TSOT25 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 0,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 154mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET + Schottky Moc rozpraszana: 1...
ROHM Semiconductor
QS5U16TR
od PLN 0,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 19,5A; 33W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 19,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54,1/51,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny R...
Vishay
SIZ270DT-T1-GE3
od PLN 2,168*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 16/35A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 16/35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9/4,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 27/48W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ710DT-T1-GE3
od PLN 10 440,39*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 4,5A; 1W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: TSSOP8 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 43mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 1W Polaryzacja: unipol...
Vishay
SI6926ADQ-T1-GE3
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIA906EDJ-T1-GE3
od PLN 1,15*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 20V; 515mA; 280mW (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SC89;SOT563 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 515mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,25Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,28W Polaryzac...
Vishay
SI1024X-T1-GE3
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 30/40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30/40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 12,7/6,58mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7/31W Polaryzacja: unipola...
Vishay
SIZ320DT-T1-GE3
od PLN 5 677,50*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 30A; 16,7W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opa...
Vishay
SIZ322DT-T1-GE3
od PLN 1,78*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 25V; 40/60A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 25V Prąd drenu: 40/60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,9/3,35mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20,2/40W Polaryzacja: unipolar...
Vishay
SIZ926DT-T1-GE3
od PLN 3,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 12/16A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12/16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20/30W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ704DT-T1-GE3
od PLN 9 337,62*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 12/16A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12/16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20/33W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ904DT-T1-GE3
od PLN 28,86*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 16/28A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 16/28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5/4,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 29/100W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SIZ918DT-T1-GE3
od PLN 2,735*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 16A; 29/66W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,5/8,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 29/66W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ902DT-T1-GE3
od PLN 10 977,90*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 28/11A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 28/11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16,5/32mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 31/16,7W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SIZ300DT-T1-GE3
od PLN 8 058,12*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 30/40A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 30/40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13,7/7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7/31W Polaryzacja: unipolarny...
Vishay
SIZ340DT-T1-GE3
od PLN 1,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 30A; 16,7W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9,44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj ...
Vishay
SIZ350DT-T1-GE3
od PLN 1,477*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 30A; 16,7W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 10,19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Vishay
SIZ348DT-T1-GE3
od PLN 1,496*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 33,4/69,7A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 33,4/69,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,4/6,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7/31W Polaryzacja: unip...
Vishay
SIZ340ADT-T1-GE3
od PLN 4,935*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 33,4A; 16,7W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 33,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7W Polaryzacja: unipolarny Rodza...
Vishay
SIZ342ADT-T1-GE3
od PLN 1,73*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 36/69,3A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 36/69,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,03/6,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 16,7/31W Polaryzacja: unipo...
Vishay
SIZ340BDT-T1-GE3
od PLN 4,04*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 33mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIA928DJ-T1-GE3
od PLN 2 756,55*
za 3 000 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 4,5A; 7,8W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 77mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 7,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIA918EDJ-T1-GE3
od PLN 4,38*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 61A; 33W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7/7,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj...
Vishay
SIZ200DT-T1-GE3
od PLN 2,27*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 3,9W Polaryzacja: unipolarn...
Vishay
SQ4282EY-T1_BE3
od PLN 11 287,975*
za 2 500 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 40V; 20A; Idm: 50A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 22mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 15,6W Polaryzacj...
Vishay
SI7288DP-T1-GE3
od PLN 2,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 60V; 38A; Idm: 80A (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18,87/18,11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ250DT-T1-GE3
od PLN 9,055*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 70V; 31,8A; 33W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 31,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 20mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 33W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj op...
Vishay
SIZ256DT-T1-GE3
od PLN 1,941*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 30V; 1A; Idm: 9,6A; 0,4W; ESD (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,4W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN6190KDW
od PLN 2,12*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,35A; Idm: 0,5A; 0,2W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,2W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMFTN620KDW
od PLN 2,53*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; Idm: 1,2A; 0,35W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 0,35W Pola...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMBT7002KDW
od PLN 2,39*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET x2; unipolarny; 60V; 0,3A; Idm: 1,2A; 0,35W (1 Oferta) 
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT363 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 0,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Zastosowanie: branża motory...
DIOTEC SEMICONDUCTOR
MMBT7002KDW-AQ
od PLN 2,46*
za 20 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 12A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W Po...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP66923
od PLN 1,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 13,5A; 3,1W; SO8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,1W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSP66920
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 22,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 22,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,3W...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB66920L
od PLN 2,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 2A; 1,4W; SOT23 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,14Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,4W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOSS62934
od PLN 1,82*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 100V; 35,5A; 8,3W (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,...
Alpha & Omega Semiconductor
AOB66916L
od PLN 4,49*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 60V; 39A; 7,5W; DFN8 (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DFN8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 7,5W P...
Alpha & Omega Semiconductor
AONS62614T
od PLN 24,30*
za 5 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolarny; 60V; 61A; 8,3W; TOLLA (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TOLLA Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 61A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 8,3W ...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTL66610
od PLN 5,10*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R190G7XTMA1
od PLN 3,407*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R150G7XTMA1
od PLN 4,555*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R125G7XTMA1
od PLN 7,184*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R102G7XTMA1
od PLN 11,75*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R080G7XTMA1
od PLN 9,262*
za szt.
 
 szt.
Infineon
IPDD60R050G7XTMA1
od PLN 21,69*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 100V; 30A; Idm: 90A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
SHINDENGEN
P30B10EL-5071
od PLN 1,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 40V; 60A; Idm: 240A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,2mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzac...
SHINDENGEN
P60B4EL-5071
od PLN 1,92*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 25A; Idm: 70A; 35W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 35W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P25B6EB-5071
od PLN 1,09*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 60V; 60A; Idm: 240A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzac...
SHINDENGEN
P60B6EL-5071
od PLN 1,86*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolarny; 70V; 80A; Idm: 320A; 128W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FG (TO263AB) Napięcie dren-źródło: 70V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 128W Polaryzacj...
SHINDENGEN
P80FG7R5EN-5071
od PLN 3,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 126A; Idm: 504A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FP (SC83 similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 126A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 238W Pol...
SHINDENGEN
P126FP10SN-5071
od PLN 6,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 26A; Idm: 78A; 44W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 44W Polaryzacja...
SHINDENGEN
P26B10SL-5071
od PLN 1,42*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 32A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19,7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W P...
SHINDENGEN
P32LF10SL-5071
od PLN 2,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 40A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 16,8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryz...
SHINDENGEN
P40B10SN-5071
od PLN 1,89*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 40A; Idm: 40A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 40A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryz...
SHINDENGEN
P40B10SL-5071
od PLN 1,97*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 100V; 8A; Idm: 24A; 20W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FB (TO252AA) Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 20W Polaryzacja:...
SHINDENGEN
P8B10SB-5071
od PLN 0,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolarny; 120V; 25A; Idm: 75A; 168W (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: LF (MO235B similar) Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 29mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 168W Pol...
SHINDENGEN
P25LF12SL-5071
od PLN 2,08*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: 1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   ..   49   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.