Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 75A; Idm: 452A; 182W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;SOT404 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjn...
Nexperia
BUK966R5-60E,118
od PLN 4,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 75A; Idm: 473A; 182W (1 Oferta) 
Producent: NEXPERIA Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;SOT404 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Zastosowanie: branża motoryzacyjna ...
Nexperia
BUK766R0-60E,118
od PLN 4,95*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 40V; 160A; 3,8W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 160A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,8W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: rol...
Infineon
IRL1404STRLPBF
od PLN 4,949*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; EETMOS4; unipolarny; 40V; 211A; Idm: 752A (1 Oferta) 
Producent: SHINDENGEN Montaż: SMD Obudowa: FZ7 (TO263SC) Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 211A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,38mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 178W Polaryz...
SHINDENGEN
P211FZ4QMKA-5071
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolarny; 650V; 20A; 147W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: WAYON Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipolarn...
WAYON
WMM26N65FD
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 150V; 36A; 104W; PQFN8 (2 ofert) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: PQFN8 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDMS86200
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6,93A; 90W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6,93A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 90W Polaryz...
ST Microelectronics
STB13NM60N
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; Idm: 22A; 78W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 368mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 78W Polaryzacja: unip...
Vishay
SIHD9N60E-GE3
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC028N06NS tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
BSC028N06NSATMA1
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Infineon IRF6648 tranzystor 60 V (2 ofert)
Infineon
IRF6648TRPBF
od PLN 4,929*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 49A; Idm: 100A; 96W; Power56 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Power56 Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 23mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryzacja: unipolar...
onsemi
FDMS3500
od PLN 4,92*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPB042N10N3 G tranzystor 100 V (2 ofert)
Infineon
IPB042N10N3GATMA1
od PLN 4,919*
za szt.
 
 szt.
Infineon IPD200N15N3 G tranzystor 100 V (2 ofert)
Infineon
IPD200N15N3GATMA1
od PLN 4,919*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 80A; 300W; D2PAK (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja...
ST Microelectronics
STB80NF55L-06T4
od PLN 4,91*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 6A; 83W; DPAK (2 ofert) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryzac...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB380CP ROG
od PLN 4,91*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.