Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 871 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☑
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Znak jakości x
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 500MHz Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 15W Moc rozpraszana: 73W...
ST Microelectronics
PD55015S-E
brak danych
od PLN 76,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET; CoolGaN™; unipolarny; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-DSO-20 Prąd bramki: 20mA Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-JFET Moc rozp...
Infineon
IGOT60R070D1AUMA1
brak danych
od PLN 77,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 50ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Czas gotowości: 50ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tran...
IXYS
MKE38RK600DFELB
brak danych
od PLN 77,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 68A; Idm: 200A; 459W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 68A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 459W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12J
brak danych
od PLN 77,43*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Pol...
IXYS
IXTA4N150HV
brak danych
od PLN 77,99*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 29A; Idm: 116A; 400W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 29A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6021SFLLG
brak danych
od PLN 78,83*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 300V; 54A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 61mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT30M61SFLLG
brak danych
od PLN 78,84*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 32A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 280W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R6SVFRG
brak danych
od PLN 79,29*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 40V; 5A; 73W; PowerSO10RF (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 500MHz Napięcie dren-źródło: 40V Prąd drenu: 5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 14dB Moc wyjściowa: 15W Moc rozpraszana: 73W...
ST Microelectronics
PD55015-E
brak danych
od PLN 80,10*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 20A; Idm: 80A; 403W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 403W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT8043SFLLG
brak danych
od PLN 81,03*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania: taśma Rodzaj kanału: wzbogacany
ST Microelectronics
SCTH60N120G2-7
brak danych
od PLN 81,919*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG
brak danych
od PLN 88,19*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; RF; 65V; 2,5A; 31,7W; PowerSO10RF (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Obudowa: PowerSO10RF Częstotliwość: 945MHz Napięcie dren-źródło: 65V Prąd drenu: 2,5A Typ tranzystora: N-MOSFET Wzmocnienie: 16,5dB Moc wyjściowa: 18W Moc rozpraszana:...
ST Microelectronics
PD57018-E
brak danych
od PLN 89,70*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 4,5kV; 0,2A; 113W; TO268HV; 1,6us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 4,5kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 625Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 11...
IXYS
IXTT02N450HV
brak danych
od PLN 91,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 45A; Idm: 159A; 303W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 45A Rezystancja w stanie przewodzenia: 50mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 303W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC040SMA120S
brak danych
od PLN 92,40*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   311   312   313   314   315   316   317   318   319   320   321   ..   325   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.