Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 842 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHB24N65E-GE3
od PLN 10,014*
za szt.
Infineon
IPB65R190CFDATMA1
od PLN 8,86*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 (1 Oferta) 
Producent: PanJit Semiconductor Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 19A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,21Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polary...
PanJit Semiconductor
PJMB210N65EC_R2_00601
od PLN 3,49*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,4A; 50W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3,37Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryz...
Taiwan Semiconductor
TSM4NB65CP ROG
od PLN 2,50*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO252 (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,8Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 77W Polaryzacja: unipo...
Bridgelux
BXP4N65D
od PLN 0,70*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO252-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 28,4W...
Infineon
IPD65R1K4CFDBTMA1
od PLN 1,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,2A; 151W; PG-VSON-4 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-VSON-4 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 151W...
Infineon
IPL65R190E6AUMA1
od PLN 7,29*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,7A; 208W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 208...
Infineon
SPB20N60C3
od PLN 9,76*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20,8A; 190W; D2PAK; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 79mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryz...
ST Microelectronics
STB42N65M5
od PLN 19,70*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 20A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,185Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 290W Polaryzacja: unipolar...
IXYS
IXTA20N65X2
od PLN 13,27*
za szt.
Infineon
IPL65R099C7AUMA1
od PLN 13,443*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 22,4A; 195,3W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 22,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,15Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 195...
Infineon
IPB65R150CFDATMA1
od PLN 8,28*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 390ns Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,145Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 390W...
IXYS
IXTA24N65X2
od PLN 11,64*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 24A; Idm: 65A; 250W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 156mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: u...
Vishay
SIHB24N65EFT1-GE3
od PLN 13 444,856*
za 800 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 650V; 26,5A; 250W; D2PAK; ESD (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 63mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryz...
ST Microelectronics
STB57N65M5
od PLN 27,396*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   281   282   283   284   285   286   287   288   289   290   291   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.