Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 100V; 170A; 715W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 120ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 170A Rezystancja w stanie przewodzenia: 9mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 715W P...
IXYS
IXTT170N10P
od PLN 31,33*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolarny; 250V; 82A; 500W; TO268 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: IXYS Montaż: SMD Obu...
IXYS
IXTT82N25P
od PLN 31,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 78ns Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 360A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,4mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 935W P...
IXYS
IXTT360N055T2
od PLN 31,06*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 23A; 136W; D2PAK-7 (1 Oferta) 
Producent: LUGUANG ELECTRONIC Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 96mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 136W Polary...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M80120J
od PLN 30,94*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 36A; 540W; TO268; 400ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 400ns Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W ...
IXYS
IXTT36N50P
od PLN 30,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 52A; 960W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 52A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 960W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT52N50P2
od PLN 30,48*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 24A; Idm: 85A; 150W (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 65mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polar...
BASiC SEMICONDUCTOR
B2M065120R
od PLN 29,41*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 100V; 93,6A; 104W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® SO8 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 93,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 104W Polaryzacja:...
Vishay
SIR668ADP-T1-RE3
od PLN 29,41*
za 5 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 6A; 540W; TO268; 1,5us (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 1,5µs Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 6A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTT6N150
od PLN 29,05*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolarny; 30V; 12/16A (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 12/16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30/17mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET x2 Moc rozpraszana: 20/33W Polaryzacja: unipolarny Ro...
Vishay
SIZ904DT-T1-GE3
od PLN 28,91*
za 10 szt.
 
 opakowania
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 22A; TO263-7 (1 Oferta) 
Producent: LITTELFUSE Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opak...
Littelfuse
LSIC1MO120T0160-TU
od PLN 28,87*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 400W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTT30N50L
od PLN 28,66*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Czas gotowości: 900ns Napięcie dren-źródło: 1,5kV Prąd drenu: 3A Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opakowania...
IXYS
IXTA3N150HV
od PLN 28,32*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 6A; Idm: 16A; 91W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 91W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R450MT17J
od PLN 28,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 5A; Idm: 28A; 335W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 335W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT7M120S
od PLN 27,81*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   21   22   23   24   25   26   27   28   29   30   31   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.