Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 839 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; Idm: 128A; 278W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 54mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: un...
Vishay
SIHB053N60E-GE3
od PLN 15,48*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 70mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 417W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60SC3G
od PLN 58,91*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 49mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja: unipolarny Rodzaj opako...
Vishay
SIHK045N60E-T1-GE3
od PLN 25,086*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 49A; Idm: 272A; 481W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 49A Rezystancja w stanie przewodzenia: 41mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 481W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT77N60SC6
od PLN 58,48*
za szt.
Infineon
IPN60R600P7SATMA1
od PLN 1,09*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4A; DPAK (1 Oferta) 
Producent: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Polaryzacja: unipolarny Ro...
Micro Commercial Components
MCU04N60-TP
od PLN 1,22*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4A; Idm: 11A; 62,5W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: DPAK;TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 62,5W Polaryzacja: uni...
Vishay
SIHD690N60E-GE3
od PLN 2,483*
za szt.
Infineon
IPD60R600P7ATMA1
od PLN 1,88*
za szt.
Infineon
IPD60R600P7SAUMA1
od PLN 1,13*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4A; Idm: 8A; 59W; TO252 (2 ofert) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO252 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,36Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 59W Polaryzacj...
ROHM Semiconductor
R6004END3TL1
od PLN 2,06*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,8A; 170W; D2PAK,TO263 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryzacja: ...
Vishay
IRFS9N60APBF
od PLN 5,40*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 5,8A; Idm: 37A; 170W (1 Oferta) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: D2PAK;TO263 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 5,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 170W Polaryzacja: ...
Vishay
SIHFS9N60A-GE3
od PLN 5,69*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 1040W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,04kW Polaryzacja: unipola...
IXYS
IXFT50N60P3
od PLN 26,90*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 195ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 73mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W P...
IXYS
IXFT50N60X
od PLN 33,15*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 50A; SMPD; 50ns (2 ofert) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: SMPD Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Czas gotowości: 50ns Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tran...
IXYS
MKE38RK600DFELB
od PLN 77,26*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   231   232   233   234   235   236   237   238   239   240   241   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.