Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 839 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☑
☑
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Porównanie cen ^v
Cena ^v
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; 540W; TO268; 500ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 0,5µs Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,24Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W ...
IXYS
IXTT30N60P
od PLN 18,33*
za szt.
od PLN 18,33*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: PowerPAK® 1012 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 52mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W Polaryzacja:...
Vishay
SIHK045N60EF-T1GE3
od PLN 26,595*
za szt.
od PLN 26,595*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3-2 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 31A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,105Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25...
Infineon
IPB60R099CPATMA1
od PLN 18,42*
za szt.
od PLN 18,42*
za szt.
Infineon IPL60R065P7 tranzystor 600 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R065P7AUMA1
od PLN 13,868*
za szt.
od PLN 13,868*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 36A; 650W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 36A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 650W Polaryzacja: unipolarn...
IXYS
IXFT36N60P
od PLN 31,57*
za szt.
od PLN 31,57*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: PG-TO263-3 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 37,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 99mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 278W...
Infineon
IPB60R099C6ATMA1
od PLN 15,62*
za szt.
od PLN 15,62*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 38A; Idm: 230A; 431W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 38A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 431W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT60N60SCSG
od PLN 90,02*
za szt.
od PLN 90,02*
za szt.
Infineon IPL60R1K5C6S tranzystor 650 V (2 ofert)
Infineon
IPL60R1K5C6SATMA1
od PLN 1,678*
za szt.
od PLN 1,678*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 125W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,95Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STB9NK60ZT4
od PLN 2,72*
za szt.
od PLN 2,72*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,4A; 63W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60NB600CP ROG
od PLN 4,20*
za szt.
od PLN 4,20*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,5A; 50W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,9Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 50W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N900CP ROG
od PLN 5,91*
za szt.
od PLN 5,91*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 147W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FQB8N60CTM
od PLN 4,16*
za szt.
od PLN 4,16*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,8A; 83W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 83W Polaryza...
Taiwan Semiconductor
TSM60N600CP ROG
od PLN 7,58*
za szt.
od PLN 7,58*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 4,9A; 85W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryzacj...
ST Microelectronics
STD10N60M2
od PLN 3,27*
za szt.
od PLN 3,27*
za szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 40mA; Idm: 0,16A; 0,61W (2 ofert) 
Producent: DIODES INCORPORATED Montaż: SMD Obudowa: SC59 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 40mA Rezystancja w stanie przewodzenia: 190Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,61W Polaryz...
Diodes
BSS127SSN-7
od PLN 0,36*
za szt.
od PLN 0,36*
za szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   231   232   233   234   235   236   237   238   239   240   241   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.