Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  >  > Tranzystory z kanałem N SMD

  Tranzystory z kanałem N SMD (4 841 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 108A; 300W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,18Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5018SLLG
od PLN 46,54*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 30A; 113,6W; D2PAK-7 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 18ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0075120J
od PLN 46,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 300V; 120A; 735W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 145ns Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 120A Rezystancja w stanie przewodzenia: 11mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 735W ...
IXYS
IXFT120N30X3HV
od PLN 46,14*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; X3-Class; unipolarny; 200V; 180A; 780W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 94ns Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 180A Rezystancja w stanie przewodzenia: 7,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 780W ...
IXYS
IXFT180N20X3HV
od PLN 46,13*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 27A; Idm: 135A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 27A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,13Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT42F50S
od PLN 46,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolarny; 100V; 75A; 400W (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 180ns Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 21mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W P...
IXYS
IXTT75N10L2
od PLN 45,56*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 11A; Idm: 70A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 780mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT17F100S
od PLN 45,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 75V; 400A; 1000W; TO268; 77ns (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 77ns Napięcie dren-źródło: 75V Prąd drenu: 400A Rezystancja w stanie przewodzenia: 2,3mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1kW Po...
IXYS
IXFT400N075T2
od PLN 44,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 800V; 15A; Idm: 85A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,43Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT22F80S
od PLN 43,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 500V; 30A; 460W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 500V Prąd drenu: 30A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 460W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXFT30N50P
od PLN 43,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; Polar™; unipolarny; 900V; 24A; 660W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Czas gotowości: 300ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 24A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,42Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 660W ...
IXYS
IXFT24N90P
od PLN 43,58*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 600V; 66A; 540W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 66A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 540W Polaryzacja: unipolarny...
IXYS
IXKT70N60C5
od PLN 43,57*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1kV; 12A; Idm: 68A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 12A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,7Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 625W Polaryz...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT18M100S
od PLN 43,46*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolarny; kaskodowy; 650V (1 Oferta) 
Producent: Qorvo (UnitedSiC) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-JFET/N-MOSFET Moc rozpraszana: 115W P...
Qorvo (UnitedSiC)
UJ3C065080B3
od PLN 43,45*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 80mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 136W Polaryzacj...
Wolfspeed
C3M0060065J
od PLN 43,34*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   ..   323   Dalej
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.